實事求是的說，二十年內(nèi)都不能！最尖端光刻機全球只荷蘭阿斯麥公司獨此一家！這家由菲利普公司獨立出來的高科技公司由十幾家知名公司共同投資，西門子、佳能、英特爾、三星、臺積電等等都是其股東，極紫外激光組件來自美國，機械行走部件來自德國西門子，造影劑來自日本佳能……，而還有一個重要條件：封裝工藝！有了光刻機只代表你擁有了達到加工精度的工具，而能不能加工出合格的產(chǎn)品，以及良品率的高低，同樣不是一朝一夕之功，我國至少還落后15-20年！正視差距才能提高，成天意淫、一葉障目只會越拉越遠！

華為斷供

自從9月15日，美國的芯片禁令開始后，英特爾、AMD、韓國的三星、LG、SK海力士等，以及日本的鎧俠、索尼、東芝等芯片巨頭，開始陸續(xù)宣布對華為斷供。

雖然，英特爾和AMD后來都獲得，重新向中國提供電腦芯片的準許證?？墒?，手機芯片一直沒得到恢復，華為的手機業(yè)務可以說是直接被打趴了。

7nm工藝麒麟芯片無法生產(chǎn)，華為Mate 40系列手機立馬成麒麟絕唱。

10月14日，ASML的首席財務官Roger Dassen就向中國出口光刻機的問題發(fā)表了口頭聲明。他說：“與中芯國際等中國客戶的業(yè)務往來，表示一些情況下，出口DUV（深紫外）光刻機，無需美國許可?！?/p>中國能生產(chǎn)光刻機和5納米芯片嗎？

這是肯定的，但是目前為止，中國的光刻機和芯片離世界先進水平還有不少差距，不過中國正在加速追趕。

一臺光刻機由上萬個部件組成，有人形容光刻機是一種集合了數(shù)學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟件、圖像識別領域頂尖技術的產(chǎn)物。

光刻機是芯片制造的核心設備之一。

按照用途可以分為好幾種：

有用于生產(chǎn)芯片的光刻機；

有用于封裝的光刻機；

還有用于LED制造領域的投影光刻機。

用于生產(chǎn)芯片的光刻機是中國在半導體設備制造上最大的短板。

光刻機被稱為“人類最精密復雜的機器”，該領域的龍頭老大是荷蘭ASML，并已經(jīng)壟斷了高端光刻機市場。

荷蘭ASML公司EUV光刻機的價格約為1.48億歐元，折合人民幣大概11.65億元左右。而且ASML的EUV光刻機也產(chǎn)量很低，供不應求，必然會優(yōu)先考慮自己的大客戶，如臺積電等。

數(shù)據(jù)顯示，2019年全球半導體芯片市場銷售額達4376億美元，其中中國市場銷售額達1942億美元，約占全球總銷售額的44%。

作為全球第一大市場，中國企業(yè)只要能拿下一半的市場份額，就足以躋身世界芯片制造大國的行列，因為目前世界芯片第一大國美國，每年的銷售額在1000億美元左右。

ASML第三季度財報顯示，ASML當季總共銷售60部光刻系統(tǒng)，凈銷售額為40億歐元（約320億人民幣），凈收入11億歐元，毛利率達到了47.5%，營收攀升至39.58億歐元，其中，中國貢獻了21%的份額。

芯片和內(nèi)存條一樣，都是由集成電路組成的半導體，而它們的主要原材料就是沙子里面的硅。

那么從沙子里面的硅到一枚芯片需要經(jīng)歷原材料提純，高溫融化，切片成為半導體原料，之后就是刻畫晶體管電路，放進高溫爐里面烤形成納米級的二氧化硅膜，完事之后還要在薄膜上鋪一層感光層，為接下來最重要的光蝕雕刻做準備。

這前面的工作其實都挺簡單的，光蝕雕刻才是難的，光刻機要在芯片上刻出20層的信息層，相當于在指甲片的晶圓面積上放下整個紐約市的地圖信息，之后才是封裝、切割、測試等后續(xù)工作。

光刻機有一個外號——人類歷史上最精密最復雜的儀器。

簡單的說，一輛汽車的零部件差不多有5000件，而一臺頂級的euv光刻機零部件能達到10萬件，涉及到上游5000多個供應商，集合了力學，光學等頂尖物理技術，所以說一臺光刻機的復雜程度難以想象。

現(xiàn)在最先進的光刻機制造商只有荷蘭一家獨大企業(yè)阿斯麥，其一臺euv光刻機就值1.48億美元，這代表你有錢還買不到，真正可以說的上是得光刻機者得芯片產(chǎn)業(yè)。

2005年的時候，阿斯麥、日本佳能和尼康都在研發(fā)，結果后來佳能和尼康熬不住了，沒成果又沒市場。

阿斯麥其實也熬不住想放棄，但客戶不答應，聯(lián)合又給他50億歐元的經(jīng)費支撐，才順利生產(chǎn)了出來。

目前，我國大陸還沒有一臺這種頂級euv光刻機。

現(xiàn)有我國大陸光刻精度最高的只能做到14nm，還是買的光刻機。

不過臺積電現(xiàn)在的制造工藝能達到5nm跟7nm。

答案是：當然

上海微電子裝備有限公司（SMEE）已經(jīng)量產(chǎn)的光刻機中，性能最好的SSA600/20工藝只能達到90nm，相當于2004年上市的奔騰四CPU的水準。

而國外的先進水平已經(jīng)達到了7納米，正因如此，國內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

不過，國內(nèi)在芯片代工技術上，已經(jīng)開始有所突破。

10月12日，中芯國際官宣完成了FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有環(huán)節(jié)全部是自主國產(chǎn)。

中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松曾在財報電話會議上披露，中芯國際N+1制程工藝與14nm制程工藝相比，性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積減少55%。

而且N+1工藝在功率和穩(wěn)定性方面和7nm工藝非常相似，不需要EUV光刻機，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。

雖然現(xiàn)在這款芯片還在流片測試階段，沒進行量產(chǎn)。

可是從長期來看，這也算是中國芯發(fā)展進程里的一大進步，為國產(chǎn)半導體生態(tài)鏈再立新功。

在追趕國際先進水平方面，中芯國際仍有很長很長的路要走。

中國被稱為世界工廠已經(jīng)有20年時間，而中國最大的芯片制造企業(yè)中芯國際成立至今剛好也是20年。

《中國制造2025》也將EUVL列為了集成電路制造領域的發(fā)展重點對象，并計劃在2030年實現(xiàn)EUV光刻機的國產(chǎn)化。

隨著國家對芯片領域大幅度投資和持續(xù)投入，相信中國的光刻機發(fā)展也將最終進入大規(guī)模自主生產(chǎn)的階段。

對于中國來說，一切只是時間問題。